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作為先進(jìn)的納米壓印設(shè)備，EVG7300紫外光納米壓印機(jī)憑借其300毫米晶圓處理能力、300納米級(jí)對(duì)準(zhǔn)精度及模塊化設(shè)計(jì)，成為半導(dǎo)體、光學(xué)元件及生物醫(yī)療領(lǐng)域的關(guān)鍵制造工具。本文從設(shè)備結(jié)構(gòu)、操作流程、關(guān)鍵參數(shù)調(diào)控及維護(hù)要點(diǎn)四方面，解析其高效使用的...
晶圓鍵合自動(dòng)系統(tǒng)匯集多項(xiàng)技術(shù)突破，令半導(dǎo)體行業(yè)向?qū)崿F(xiàn)3D-IC硅片通道高容量生產(chǎn)的目標(biāo)又邁進(jìn)了一步。新系統(tǒng)晶圓對(duì)晶圓排列精度是過去標(biāo)準(zhǔn)平臺(tái)的三倍，生產(chǎn)能力更是比先前高出50%，此外GEMINIFBXT平臺(tái)還為半導(dǎo)體行業(yè)應(yīng)用3D-IC及硅片通道技術(shù)掃清了幾大關(guān)鍵障礙，使半導(dǎo)體行業(yè)能夠在未來不斷提升設(shè)備密度，強(qiáng)化設(shè)備機(jī)能，同時(shí)又無需求助于越發(fā)昂貴復(fù)雜的光刻工藝技術(shù)。晶圓對(duì)晶圓鍵合自動(dòng)系統(tǒng)是激活諸如堆疊式內(nèi)存，邏輯記憶以及未來互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體圖像感應(yīng)器等3D裝置的一個(gè)關(guān)鍵步驟。...
EV集團(tuán)（EVG）是面向MEMS，納米技術(shù)和半導(dǎo)體市場的晶圓鍵合機(jī)和納米壓印機(jī)的先進(jìn)供應(yīng)商，今天宣布，它已與先進(jìn)的技術(shù)集團(tuán)之一的肖特（SCHOTT）合作在特種玻璃和玻璃陶瓷領(lǐng)域，證明了12英寸納米壓印光刻技術(shù)（NIL）已準(zhǔn)備好用于制造波導(dǎo)/光的高折射率（HRI）玻璃晶片的大量圖案下一代增強(qiáng)/混合現(xiàn)實(shí)（AR/MR）耳機(jī)指南。此次合作涉及EVG公司專有的SmartNIL納米壓印工藝和SCHOTT的RealView高折射率玻璃晶片，并且將EVG的NILPhotonics內(nèi)開展在公司...
在過去的幾十年中，生物技術(shù)設(shè)備的小型化極大地改善了臨床診斷，藥物研究和分析化學(xué)。現(xiàn)代生物技術(shù)設(shè)備，例如用于診斷，細(xì)胞分析和藥物發(fā)現(xiàn)的生物醫(yī)學(xué)MEMS，通常是基于芯片的，并且依賴于微米級(jí)和納米級(jí)生物物質(zhì)的緊密相互作用。根據(jù)市場研究報(bào)告，越來越多的醫(yī)療保健應(yīng)用正在使用bioMEMS組件。受諸如即時(shí)點(diǎn)測試，臨床和獸醫(yī)診斷等應(yīng)用的推動(dòng)，到2021年，已占生物MEMS市場總量的86％。NIL納米壓印光刻技術(shù)已從利基技術(shù)演變?yōu)閺?qiáng)大的大批量制造方法，該方法可通過將印跡或生物印跡到生物相容性...
掩模對(duì)準(zhǔn)光刻機(jī)系統(tǒng)，這是一個(gè)全新的、已經(jīng)被生產(chǎn)廠家驗(yàn)證過的新型光刻曝光機(jī)以及晶圓對(duì)晶圓（W2W）接合曝光和測試系統(tǒng)，可滿足用戶對(duì)更高光刻精度的需求。業(yè)內(nèi)向更小結(jié)構(gòu)和更密集封裝生產(chǎn)轉(zhuǎn)型的趨勢帶來了眾多的新挑戰(zhàn)，如對(duì)更高精度的要求，因?yàn)檫@將嚴(yán)重影響設(shè)備的偏差律，并最終影響生產(chǎn)效率和增加成本。掩模對(duì)準(zhǔn)光刻機(jī)系統(tǒng)可較大提高對(duì)準(zhǔn)精度-范圍從1微米至0.1微米-從而為生產(chǎn)廠家在先進(jìn)微電子、化和物半導(dǎo)體、硅基電功率、三維集成電路和納米等幾乎所有相關(guān)產(chǎn)業(yè)提供了解決方案。新一代掩模對(duì)準(zhǔn)光刻機(jī)系...
發(fā)光二極管照明是利用半導(dǎo)體的電致發(fā)光發(fā)展而來的固態(tài)照明技術(shù)。自1907年第一只發(fā)光二極管問世，到20世紀(jì)90年代，人們對(duì)LED的研究進(jìn)展緩慢，期間使用GaAs和InP等第二代半導(dǎo)體材料為光源的LED僅應(yīng)用在光電探測及顯示領(lǐng)域。直到20世紀(jì)90年代中期，日本的中村修二發(fā)明了第一只超高亮度的GaN基LED，照明領(lǐng)域的大門才向LED打開。GaN作為繼第一代半導(dǎo)體材料Si，Ge和第二代半導(dǎo)體材料GaAs，InP等之后的第三代半導(dǎo)體材料，因其出色的光電性能獲得了關(guān)注和研究熱度。GaN是...